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[发明专利]二元系钛酸铜钇-钛酸锶巨介电陶瓷材料及其制备方法-CN201410200342.8有效
发明人：晁小练;李俊伟;杨祖培 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种二元系钛酸铜钇-钛酸锶巨介电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料用通式(1-x)Y_2/3Cu₃Ti₄O₁₂表示的材料组成，0.05≤x≤0.35，其制备方法是先采用溶胶凝胶法将原料制备成凝胶，预烧后得到高纯度、粒度均一、活性较高的陶瓷粉体，再通过造粒、压片、烧结、烧银工艺步骤，制备成介电常数高、电常数频率稳定性好、实用性强、易于生产的二元系钛酸铜钇-钛酸锶巨介电陶瓷材料。本发明制备方法简单、重复性好、成品率高，实验结果表明，x的取值为0.15时，二元系钛酸铜钇-钛酸锶巨介电陶瓷材料在1kHz下介电常数最高可达139059、介电损耗为0.31，且介电常数在很宽的频率范围内变化很小
二元系钛酸铜钇钛酸锶巨介电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种稀土改性的钛酸锶巨介电陶瓷材料及其制备方法-CN202210371204.0有效
发明人：刘来君;付振晓;刘康;杨曌;蒙应知 -专利权人：桂林理工大学;广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土改性的钛酸锶巨介电陶瓷材料及其制备方法，属于介电陶瓷材料技术领域；本发明的一种稀土改性的钛酸锶巨介电陶瓷材料的通式为Sr1‑3x/2LnxTiO3；其中，0.0075≤x≤0.01，Ln为稀土元素Ce、Dy或Sm中的任意一种；本发明提供的陶瓷材料以钛酸锶为基体，对其进行Ce、Dy或Sm掺杂，并优选掺杂数量，从而使制备得到的陶瓷材料的介电常数都在11000(RT，1kHz)以上，并且制备得到的材料还具有极低的介电损耗，其中介电损耗都在0.07(RT，1kHz)以下，同时其还具有优异的频率稳定性和优异的温度稳定性；另外，本发明的技术方案提供的稀土改性的钛酸锶巨介电陶瓷材料在空气中烧结，或在较低温度的氮气环境下退火，即制备过程较为简单，有利于工业生产应用。
一种稀土改性钛酸锶巨介电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料及其制备方法-CN200710121834.8无效
发明人：符汪洋;周岳亮;曹玲柱;汪宏 -专利权人：中国科学院物理研究所;西安交通大学
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料，包括至少一层钛酸锶钡层和至少一层铌酸锌铋层，其中，所述钛酸锶钡层为锰掺杂的钛酸锶钡层。本发明的钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料有机地结合了钛酸锶钡材料的高介电可调性与铌酸锌铋材料的低介电损耗特性，通过使用锰掺杂钛酸锶钡层，以及有目的地调控锰掺杂钛酸锶钡和铌酸锌铋层各自的厚度和生长条件，得到了一种同时具有高介电可调率和低介电损耗特性的锰掺杂钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料。
钛酸锶钡铌酸锌铋异质结构材料及其制备方法

[发明专利]一种巨介电低损耗钛酸锶钡陶瓷及其制备方法-CN201710128537.X有效
发明人：郭旺;黄集权;江亚彬;李国京;黄秋凤;邓种华;陈剑;刘著光;兰海 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本文公开了一种巨介电低损耗钛酸锶钡陶瓷，其化学通式为Ba1‑xSrxTiO3此外还公开了上述钛酸锶钡陶瓷的制备方法。本发明方法制备得到的钛酸锶钡陶瓷提高了钛酸钡陶瓷产品的介电常数，同时也降低了钛酸钡陶瓷产品的损耗，实现了钛酸钡陶瓷体系的突破，从而有效提高了钛酸钡陶瓷产品的储能密度及综合性能，拓展了其作为高压储能介电材料的应用领域
一种巨介电低损耗钛酸锶钡陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种巨介电陶瓷填料/介电弹性体复合材料及制备方法-CN202310398844.5在审
发明人：阮梦楠;刘晓伟;刘志锋;蒋婷婷 -专利权人：天津城建大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C08L9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种巨介电陶瓷填料/介电弹性体复合材料及制备方法。所述复合材料中巨介电陶瓷填料为A位和B位掺杂钛酸锶钡(BaSrTiO3)，其中介电弹性体复合材料基体材料为天然橡胶、丁腈橡胶、硅橡胶和聚氨酯等。选取天然橡胶、丁腈橡胶、硅橡胶和聚氨酯100份，硫化剂1‑5份，巨介电陶瓷填料5‑20份共混，然后在150‑180℃高温下硫化25‑50分钟，制得介电弹性体复合材料。制得的巨介电陶瓷填料拥有巨介电常数(104‑106)以及低介电损耗(0.002‑0.2)，将其添加到天然橡胶、丁腈橡胶、硅橡胶和聚氨酯中，所制得的复合材料大大提高了介电性能，且在较低电场下获得高电致形变，使得介电弹性体应用范围更加广泛。
一种巨介电陶瓷填料弹性体复合材料制备方法

[发明专利]一种钛酸锶基巨介电陶瓷制备方法-CN202310080428.0在审
发明人：白浩;卢楠;高晓;刘振国 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶基巨介电陶瓷制备方法，涉及电子陶瓷领域，SrTi0.994Nb0.004V0.001Ta0.001O3以二氧化钛，碳酸锶和五氧化二铌、五氧化二钒、五氧化二钽为原料，混合均匀后球磨，干燥后将粉体在空气中预烧，将预烧后的粉料添加PVA混合均匀，研磨后加入粘合剂PVB以及塑化剂BBP造粒并压制成型，然后放到气氛烧结炉中，使样品在氢气、氩气、氮气混合气氛中烧结成瓷，之后将样品置于真空‑氧气气氛中退火，得到介电性能良好的巨介电陶瓷并且具有良好的温度和频率稳定性
一种钛酸锶基巨介电陶瓷制备方法

[发明专利]一种水基凝胶流延成型的钛酸锶钡织构陶瓷及其制备方法-CN202010018730.X有效
发明人：许杰;王语鉴;郭艺婷;赵佳;刘书航;孟轩宇;高峰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种水基凝胶流延成型的钛酸锶钡织构陶瓷，涉及电子材料技术领域。所述钛酸锶钡织构陶瓷包括钛酸锶钡粉体和钛酸锶钡片状籽晶，在流延工艺下使钛酸锶钡片状籽晶沿流延方向在钛酸锶钡粉体中定向排列，形成具有织构组织的陶瓷；其相对密度为95％～98％，织构度为55％～90％，介电常数为8000～11000，介电损耗为0.005～0.04，介电可调性为40％～60％；本发明还提供了一种水基凝胶流延成型的钛酸锶钡织构陶瓷的制备方法。本发明利用片状钛酸锶钡籽晶与钛酸锶钡粉体结合，在流延工艺下使片状钛酸锶钡籽晶沿流延方向在钛酸锶钡粉体中定向排列，在提高陶瓷材料的取向性的同时，能够达到提高陶瓷材料介电性能的目的。
一种凝胶成型钛酸锶钡织构陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种钛酸锶钡-聚偏氟乙烯共聚物铁电材料及其制法-CN202010825249.1在审
发明人：王志越 -专利权人：嵊州市汇业新材料科技有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明涉及聚偏氟乙烯铁电材料技术领域，且公开了一种钛酸锶钡‑聚偏氟乙烯共聚物铁电材料，包括以下配方原料：聚氨酯包覆钛酸锶钡‑铁酸铋、聚偏氟乙烯、乙烯‑三氟氯乙烯共聚物。该一种钛酸锶钡‑聚偏氟乙烯共聚物铁电材料，固相熔融法制备出的钛酸锶钡固溶体的介电常数更大，通过镧掺杂铁酸铋的修饰，增强了钛酸锶钡的剩余磁化强度和饱和磁化强度，降低了其介电损耗，使钛酸锶钡固溶体呈现出优异的介电和铁电性能，在钛酸锶钡和铁酸铋的表面包覆一层聚氨酯，通过熔融共混交联成共聚物，大幅改善了钛酸锶钡‑铁酸铋在聚偏氟乙烯中的分散性和相容性，从而增强了聚偏氟乙烯的介电性能和铁电性能。
一种钛酸锶钡聚偏氟乙烯共聚物材料及其制法

[发明专利]一种巨介电常数、低介电损耗钛酸锶陶瓷的制备方法-CN202210575272.9有效
发明人：刘旭东;卢佳慧;王磊;孙旭东;王兴安;那兆霖;惠宇 -专利权人：大连大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明属于多功能电子陶瓷材料技术领域，公开了一种巨介电常数、低介电损耗钛酸锶陶瓷的制备方法。该制备方法采用草酸沉淀法将原料混合，待充分反应后洗涤、干燥、过筛，将过筛的粉末放置于马弗炉中煅烧，冷却到室温后取出粉末；将粉体压制成型后，放入马弗炉中，在1400‑1500℃的条件下烧结4h得到所需的钛酸锶陶瓷>(Zn1/3Nb2/3)xO3介电陶瓷，在介电常数明显提高的同时还要尽量保证其较低的介电损耗，使陶瓷的介电性能得到进一步的改善，从而更大限度满足生产生活的需要。
一种介电常数低介电损耗钛酸锶陶瓷制备方法

[发明专利]一种电泳复合沉积制备铁电、介电厚膜的方法-CN200810033722.1无效
发明人：翟继卫;张玲 -专利权人：同济大学
申请日： 2008-02-20 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及铁电、介电厚膜制备方法。公开了一种钛酸锶钡铁电、介电厚膜的制备方法，为将摩尔比为(1－4)∶(4－1)的BaTiO₃粉体和SrTiO₃粉体电泳沉积后经高温热处理制得钛酸锶钡铁电、介电厚膜本发明制备钛酸锶钡铁电、介电厚膜成本低、成膜快、组分易于调整、适宜大规模制膜。
一种电泳复合沉积制备介电厚膜方法

[发明专利]一种低损耗、高介电可调钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法-CN201110183011.4有效
发明人：翟继卫;张奇伟 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： C22C29/00 文献下载
摘要：本发明属于电子材料与器件技术领域，涉及一种低损耗、高介电可调钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备。本发明的介电可调的钛酸锶钡基微波陶瓷材料，其结构为单相的立方钙钛矿结构，其成分包括如下质量百分比的组分：BaxSr1-xTiO3(x=0.3～0.8)50wt.%～99.9wt.本发明的介电可调的钛酸锶钡基微波陶瓷材料将Fe粉添加到不同Ba/Sr组分的钛酸锶钡铁电材料中，研制得到一种具有低损耗，高介电可调特性，且可用于可调器件的陶瓷材料，尤其适合用作可调微波器件的微波介质陶瓷铁电移相器材料
一种损耗高介电可调钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种微波介电可调的钛酸锶铋薄膜的制备方法-CN200710199278.6无效
发明人：史鹏;任巍;赵敏;吴小清;魏晓勇;陈晓峰;姚熹 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2007-12-18 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有钙钛矿结构的钛酸锶铋微波介电可调薄膜的制备方法，采用溶胶-凝胶工艺，以分析纯的醋酸锶、硝酸铋和钛酸四丁酯为起始原料，冰醋酸和乙二醇乙醚为溶剂，乙酰丙酮为稳定剂，合成化学组成为 Bi_xSr_1－1.5xTiO₃的钛酸锶铋溶胶先体；利用快速热处理工艺技术，在基片上制备出具有钙钛矿结构的钛酸锶铋薄膜。利用铋对钛酸锶薄膜的微观结构改性，使薄膜在不降低可调特性的同时降低薄膜的介电损耗，提高薄膜的品质因子，从而得到新型的、可实用的微波介电可调薄膜材料。
一种微波可调钛酸锶铋薄膜制备方法

[发明专利]锂取代钛酸铜镉巨介电陶瓷材料及其制备方法-CN201310169573.2有效
发明人：杨祖培;赵楠;晁小练 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：一种锂取代钛酸铜镉巨介电陶瓷材料，用通式LixCd1-xCu3Ti4O12表示的材料组成，式中0.005≤x≤0.05。本发明通过配料、预烧、造粒、压片、烧结、烧银工艺步骤，制备成介电损耗低、介电常数高、电常数频率稳定性好、实用性强、易于生产的锂取代钛酸铜镉巨介电陶瓷材料，其制备方法简单、重复性好、成品率高。实验结果表明，x的取值为0.01时，锂取代钛酸铜镉巨介电陶瓷材料在1kHz下介电常数为16385、介电损耗为0.031，且介电常数在很宽的频率范围内变化很小，同时介电损耗在很宽的频率范围下≤0.05。
取代钛酸铜镉巨介电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]钛酸锶陶瓷及其制备方法和应用-CN202310840763.6在审
发明人：林元华;蔡婧涵;戚俊磊 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶陶瓷及其制备方法和应用。钛酸锶陶瓷的化学式包括SrTiNbxO3，其中，0＜x≤0.012。该钛酸锶陶瓷具有高的介电常数，同时保持了极低的介电损耗，能够更大限度地满足使用需要，具体地，室温1kHz下，钛酸锶陶瓷的介电常数可为3.5×104‑6×104，介电损耗小于1％。
钛酸锶陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种钛酸锶钡薄膜及其制备方法和应用-CN201310740835.6无效
发明人：董显林;宋丽蓉;陈莹;王根水 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-12-28 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶钡薄膜及其制备方法和应用。所述薄膜是由镧对钛酸锶钡A位及锰对钛酸锶钡B位共掺杂得到。该薄膜的制备是先制备La、Mn共掺杂的BST陶瓷溅射靶材；然后利用得到的La、Mn共掺杂的BST陶瓷溅射靶材在硅衬底基片上制备镍酸镧底电极；再利用得到的镍酸镧底电极、采用射频磁控溅射法沉积所述的钛酸锶钡薄膜本发明实现了采用磁控溅射法制备镧和锰共掺杂的钛酸锶钡薄膜；且制得的BST薄膜呈钙钛矿结构，单一相，无杂相，且具有(100)择优取向；尤其是，具有高介电可调性、低介电损耗以及适中介电常数，有望应用于制作介电调谐器件
一种钛酸锶钡薄膜及其制备方法应用

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